Herbert Kroemer
Ziyaretçi
Herbert Kroemer
Vikipedi, özgür ansiklopedi
Herbert Kroemer (Herbert Krömer) (d. 25 Ağustos 1928, Weimar) Nobel ödüllü Alman fizikçi
Yaşam
Herbert Kroemer Weimar’daki Friedrich Schiller lisesini bitirdikten sonra, 1947 yılında JenaFriedrich Schiller Üniversitesi’nde fizik eğitimine başladı. Friedrich Hund ve diğer hocaların derslerine devam etti. Batı Berlin’e yardım amacı ile kurulan Berlin Hava Köprüsü’nün kurulduğu dönemde staj yapmak üzere Berlin’de bulunan Kroemer, bu fırsattan yararlanarak batıya kaçtı ve eğitimine Göttingen’deki Georg August Üniversitesi’nde devam etti. 1952teorik fizik dalında, sıcak elektronların Transistörlere etkileri konulu doktorasını yaptı. Hemen ardından Almanya Federal Posta İdaresi, TelekomünikasyonUygulayıcı Teorisyen olarak işe başladı. 1954 yılında Amerika’ya gitti ve Princeton Üniversitesi’nde ve Palo Alto’da çeşitli araştırma ve geliştirme projelerinde çalıştı. 1968 ile 1976 yılları arasında Boulder’deki Colorado Üniversitesi’nde fizik profesörüSanta Barbara’daki California Üniversitesi’ne geçti. şehrindeki yılında, Richard Becker’in yanında, Merkezi’nde, kendi deyimiyle olarak çalıştı, daha sonra
Çalışmaları
Herbert Kroemer hiçbir zaman güncel konularda çalışmadı. Yıllar sonra kullanılabilecek konular üzerinde çalışmayı her zaman yeğlemiştir. 1950'li yıllarda üzerinde çalıştığı gigahertzfrekanslarındaki performans yükseltici transistörleri mümkün kılan çalışması ve 1963 yılında geliştirdiği, laserle ilgili çalışma, ancak 1980'li yıllarda epitaxie’nin geliştirilmesinden sonra kullanılabilmiştir.
Santa Barbara'da çalıştığı zamanlar, teorik çalışmaların yanı sıra, deneysel çalışmalara da yöneldi. 1970'lerde molekül ışınları epitaxie geliştirme çalışmalarına katıldı ve bu çalışmalarda galyum ile fosfor'un birleştirilmesi (GaP) ve galyum ile arsenik birleştirmesi (GaAs) gibi yeni materyal kombinasyonlarını silisyum altkatmanları olarak üretti ve inceledi. 1985 yılından itibaren indiyum ile arsenik (InAs) birleştirilmesi, galyum ile antimon (GaSb) birleştirmeleri ve alüminyum ile antimon (AlSb) birleştirmeleri ile ilgilenmeye başladı.
2000 yılında Zhores Iwanowitsch Alferow ile birlikte Nobel Fizik Ödülü'nün yarısını, yüksek hız ve optoelektronikde kullanılan yarı iletken ayrı cins yapıların ("developing semiconductor heterostructures used in high-speed- and opto-electronics") geliştirilmesi çalışmaları nedeni ile aldı. Ödülün diğer yarısı entegre çiplerin (Tümleşik devre) geliştirilmesi çalışmaları nedeni ile Jack Kilby'ye verildi.
Ödülleri
Vikipedi, özgür ansiklopedi
Sponsorlu Bağlantılar
Herbert Kroemer (Herbert Krömer) (d. 25 Ağustos 1928, Weimar) Nobel ödüllü Alman fizikçi
Yaşam
Herbert Kroemer Weimar’daki Friedrich Schiller lisesini bitirdikten sonra, 1947 yılında JenaFriedrich Schiller Üniversitesi’nde fizik eğitimine başladı. Friedrich Hund ve diğer hocaların derslerine devam etti. Batı Berlin’e yardım amacı ile kurulan Berlin Hava Köprüsü’nün kurulduğu dönemde staj yapmak üzere Berlin’de bulunan Kroemer, bu fırsattan yararlanarak batıya kaçtı ve eğitimine Göttingen’deki Georg August Üniversitesi’nde devam etti. 1952teorik fizik dalında, sıcak elektronların Transistörlere etkileri konulu doktorasını yaptı. Hemen ardından Almanya Federal Posta İdaresi, TelekomünikasyonUygulayıcı Teorisyen olarak işe başladı. 1954 yılında Amerika’ya gitti ve Princeton Üniversitesi’nde ve Palo Alto’da çeşitli araştırma ve geliştirme projelerinde çalıştı. 1968 ile 1976 yılları arasında Boulder’deki Colorado Üniversitesi’nde fizik profesörüSanta Barbara’daki California Üniversitesi’ne geçti. şehrindeki yılında, Richard Becker’in yanında, Merkezi’nde, kendi deyimiyle olarak çalıştı, daha sonra
Çalışmaları
Herbert Kroemer hiçbir zaman güncel konularda çalışmadı. Yıllar sonra kullanılabilecek konular üzerinde çalışmayı her zaman yeğlemiştir. 1950'li yıllarda üzerinde çalıştığı gigahertzfrekanslarındaki performans yükseltici transistörleri mümkün kılan çalışması ve 1963 yılında geliştirdiği, laserle ilgili çalışma, ancak 1980'li yıllarda epitaxie’nin geliştirilmesinden sonra kullanılabilmiştir.
Santa Barbara'da çalıştığı zamanlar, teorik çalışmaların yanı sıra, deneysel çalışmalara da yöneldi. 1970'lerde molekül ışınları epitaxie geliştirme çalışmalarına katıldı ve bu çalışmalarda galyum ile fosfor'un birleştirilmesi (GaP) ve galyum ile arsenik birleştirmesi (GaAs) gibi yeni materyal kombinasyonlarını silisyum altkatmanları olarak üretti ve inceledi. 1985 yılından itibaren indiyum ile arsenik (InAs) birleştirilmesi, galyum ile antimon (GaSb) birleştirmeleri ve alüminyum ile antimon (AlSb) birleştirmeleri ile ilgilenmeye başladı.
2000 yılında Zhores Iwanowitsch Alferow ile birlikte Nobel Fizik Ödülü'nün yarısını, yüksek hız ve optoelektronikde kullanılan yarı iletken ayrı cins yapıların ("developing semiconductor heterostructures used in high-speed- and opto-electronics") geliştirilmesi çalışmaları nedeni ile aldı. Ödülün diğer yarısı entegre çiplerin (Tümleşik devre) geliştirilmesi çalışmaları nedeni ile Jack Kilby'ye verildi.
Ödülleri
- J.J. Ebers Award, Institute of Electrical and Electronics Engineers(IEEE), 1973
- Heinrich-Welker-Medaille, International Symposium on GaAs and Related compounds, 1982
- National Lecturer, IEEE Electron Devices Society, 1983
- Jack Morton Award, IEEE, 1986
- Alexander von Humboldt Araştırma Ödülü, 1994
- Nobel Fizik Ödülü, 2000
- Friedrich Schiller Üniversitesi Fizik ve Astronomi Fakültesi tarafından verilen onursal doktora 20 Mayıs 2008
Son düzenleyen Safi; 7 Aralık 2015 16:45
Biyografi Konusu: Herbert Kroemer nereli hayatı kimdir.
