Arama

Transistör Nedir?

Güncelleme: 2 Ocak 2013 Gösterim: 17.992 Cevap: 5
The Unique - avatarı
The Unique
Kayıtlı Üye
7 Ekim 2008       Mesaj #1
The Unique - avatarı
Kayıtlı Üye
Transistör

Sponsorlu Bağlantılar

transistor
Transistör Nedir?
Germanyum veya Silisyum elementlerinin yarı iletkenlik özelliklerinden yararlanılarak imal edilen, Elektronik tüplerin Elektrik titreşimlerini genişletmekte kullanılan, sağlam yapılı ve uzun ömürlü Alet .
Geçirgeç veya Transistör, yarı iletken malzemeden yapılmış elektronik devre elemanıdır. Transistörler elektronik cihazların temel yapı taşlarındandır. Günlük hayatta kullanılan elektronik cihazlarda birkaç taneden birkaç milyara varan sayıda Transistör bulunabilir.
Küçük bir elektronik aygıttır. Elektronik sinyalleri kuvvetlendirmek için kullanılan, zıt yöndeki bir iletkenlik bölgesiyle ayrılmış, belirli iki iletkenlik bölgesinden oluşan, yarı iletkenden yapılmış bileşen. ( Transistör sözcüğü günlük yaşamda çoğunlukla jonksiyonlu transistör ile eş anlamlı olarak kullanılır.)
Termoiyonik lamba yada kısaca lamba denen Elektron tüpünün yerini alan transistörler çok daha küçük, uzun ömürlü ve daha ucuzdur. Transistör, elektronik çağını başlatan en önemli buluştur. Transistör 1948′de geliştirilen ABD’li Mühendisler John Bordeen (1908), Walter H. Brattion (1902-1987) ve William B. Shockley (1910-1989) bu buluşları nedeniyle Nobel Fizik ödülünü paylaşmışlardır.
Transistör silisyum ve Germanyum gibi yarıiletken bir maddeden yapılır. Transistörler elektronik sanayisinde, örneğin Televizyon alıcılarının, hi-fi ses sistemlerinin, işitme aygıtlarının ve daha önemlisi bilgisayarların yapısında kullanılır. Bugün tekil Transistörlerin yerini tümleşik devreler almaktadır. Tümleşik devrelerde chip yada yonga denen çok küçük ve ince yarıiletken madde diliminin üzerinde oluşturulmuş, binlerce transistör ve başka elektronik devre elemanları bulunur.
Transistor, elektrik sinyallerini yükseltebilen , denetleyebilen, üretebilen, modülasyon ve dedeksiyon yapabilen bir aygıttır ve bu niteliğiyle elektronik çağını başlatan en önemli buluştur.
1948’ de Transistoru geliştiren A.B.D.’ li mühendisler Bardeen, Brattain ve Schockley, bu buluşları sayesinde, 1956 senesi Nobel Fizik Ödülü ‘ nü paylaşmışlardır. Transistor ,silisyum, Germanyum, selenyum gibi yarı iletken bir maddeden yapılır. Elektronik sanayisinde, örneğin televizyon alıcılarının, hi-fi ses sistemlerinin, işitme cihazlarının, bilgisayarların yapımında kullanılır. Bugün tekil Transistorların yerini tümleşik devreler almaktadır. Tümleşik develerde, çip ya da yonga denen çok küçük ve ince bir yarı iletken madde diliminin üzerinde oluşturulmuş binlerce transistor ve başka elektronik devre elemanları bulunur.
Transistorların çalışma prensipleri
Transistorlar elektrik direncinin değişmesine dayalı olarak çalışırlar.Transistorun , toplayıcı,baz ( taban) ve yayıcı olarak adlandırılan üç bağlantısı vardır.Baz bağlantısında elektrik akımı olmadığında , toplayıcı ile yayıcı arasındaki direnç o kadar yüksektir ki, bu iki bağlantı arasından hemen hiç akım geçemez.Ama, baz bağlantısından küçük bir akım aktığında , toplayıcı ile yayıcı arasındaki dirençte çok büyük bir azalma olur ve dolayısıyla da, toplayıcı ile yayıcı arasından akım geçebilir. Böylece transistor küçük bir akımın yardımıyla büyük bir akımı denetleyebilir. Transistor bir Anahtar olarak kullanıldığı zaman, baz bağlantısına küçük bir akım beslendiğinde, güçlü bir elektrik akımının devresini tamamlamasına izin verir.Bir yükseltici ya da bir üreteç olarak kullanıldığında ise ,zayıf bir sinyali güçlendirir. Zayıf sinyal,küçük bir elektrik akımı biçiminde tabana beslenir. Bu da toplayıcıdan yayıcıya büyük bir akımın geçmesine izin verir ve böylece de güçlü bir sinyal üretilmiş olur.
Transistörlerin Tarihi tarihçesi icat icadı
Elektron Lambaları ilk defa 1906′da Londra Üniversite Kolejinde Dr. Lee de Forest tarafından uygulama sahasına konulmuştur. 1925′te Lilien Field ve 1938′de Hilsch ve Pohl tarafından, lambaların yerine geçecek bir katı amplifikatör elemanı bulma konusunda başarısızlıkla sonuçlanan bazı denemeler yapılmıştır. Çalışmaların amacı, lambalarda olduğu gibi katılarda da Elektrostatik alan etkisi ile elektron akışını sağlamaktı. Daha sonraları bu çalışmalar bugünkü transistörlerin temelini teşkil etmiştir.
1931-1940 yılları katı maddeler Elektroniği hakkında daha ziyade teorik çalışmalar devri olmuştur. Bu sahada isimleri en çok duyulanlar, L. Brillouin, A. H. Wilson, J. C. Slater, F. Seitz ve W. Schottky’dir.
Yıl 1948, Walter H. Brattain ve John Bardeen kristal redresör yapmak için Bell laboratuarlarında çalışıyorlar. Esas olarak yapılan; çeşitli kristallere temas eden bir ‘catwhisker’ in tek yönde iletken, diğer yönde büyük bir direnç göstermesi ile ilgili bir çalışmadır. Deneyler sırasında Germanyum kristalinin ters akıma daha çok direnç gösterdiği ve daha iyi bir doğrultma işlemi yaptığı gözlemlendi ve böylece germanyum redresörler ortaya çıktı.
Brattain ve Bardeen germanyum redresör ile yaptıkları deneylerde, germanyum kristali üzerindeki serbest elektron yoğunluğunun, redresörün her iki yöndeki karakteristiğine olan tesirini incelediler ve bu sırada, catwhisker’e yakın bir başka kontak daha yaparak deneylerini sürdürdüler. Bu sırada ikinci whisker de akım şiddetlenmesinin farkına vardılar ve elektronik tarihinin bir dönüm noktasına tekabül eden transistör böylece keşfedilmiş oldu.
Adını ‘Transfer – Resistor’ yani taşıyıcı direnç kelimesinden alan transistör’ün geliştirilmesine daha sonra William Shockley de katıldı ve bu üçlü 1956 yılı nobel fizik ödülüne layık görüldüler.
İlk yapılan transistörler ‘Nokta Kontaklı’ transistörlerdi. Nokta kontaklı transistörler, iki whisker’li bir kristal diyottan ibarettir. Kristale ‘Base’, whiskerlerden birine ‘Emitter’ diğerine de ‘Collector’ adı verilir. Bu transistörlerde N tipi Germanyum kristali base olarak kullanılmıştır.
Whiskerler fosforlu bronzdan yapılır, daha doğrusu yapılırdı, bu transistörler artık müzelerde veya eski amatörlerin nostaljik malzeme kutularında bulunurlar.
Her iki whisker birbirine çok yakındır ve uçları kıvrık bir yay gibidir, bu kıvrık yay gibi olması nedeni ile kristale birkaç gramlık bir Basınç uygular ve bu sayede sabit dururlar. Yani, yalnız temas vardır.
Bu transistörlerin Ge kristalleri 0.5 mm kalınlığında ve 1 - 1.5 mm eninde parçalardır. Whisker arası mesafe ise milimetrenin yüzde 3′ü yüzde 5′i kadardır.
Bu ilk transistörler PNP tipinde idi, yani kristal N tipi Whiskerler P tipi idi.
Daha sonraları ‘Yüzey Temaslı’ transistörler yapıldı. Bu transistörler PNP veya NPN olacak şekilde üç kristal parçası birbirine yapıştırılarak imal edildiler. Yüzey temaslı transistörlerin yapılması ile silisyum transistörler piyasaya çıktı, daha sonraları transistörler kocaman bir Aile oluşturdular ve sayıları oldukça arttı.
Bir bildiğim varsa hiç bir şey bilmediğimdir. (:
_KleopatrA_ - avatarı
_KleopatrA_
Ziyaretçi
2 Ocak 2010       Mesaj #2
_KleopatrA_ - avatarı
Ziyaretçi
Geçirgeç veya transistör;

Sponsorlu Bağlantılar
Geçirgeç
veya transistör, yarı iletken malzemeden yapılmış elektronik devre elemanıdır. Transistörler elektronik cihazların temel yapı taşlarındandır. Günlük hayatta kullanılan elektronik cihazlarda birkaç taneden birkaç milyara varan sayıda transistör bulunabilir. İntel'in 2009 yılında piyasaya sürmeyi planladığı 32 nm boyutunda son teknoloji ürünü bellek yongalarında 1,9 milyar adet transistör bulunacaktır.

Tarihçe

Elektron lambaları ilk defa 1906'da Londra Üniversite Kolejinde [[]] tarafından uygulama sahasına konulmuştur. 1925'te Lilien Field ve 1938'de Hilsch ve Pohl tarafından, lambaların yerine geçecek bir katı amplifikatör elemanı bulma konusunda başarısızlıkla sonuçlanan bazı denemeler yapılmıştır. Çalışmaların amacı, lambalarda olduğu gibi katılarda da elektrostatik alan etkisi ile elektron akışını sağlamaktı. Daha sonraları bu çalışmalar bugünkü transistörlerin temelini teşkil etmiştir.
1931-1940 yılları katı maddeler elektroniği hakkında daha ziyade teorik çalışmalar devri olmuştur. Bu sahada isimleri en çok duyulanlar, L. Brillouin, A. H. Wilson, J. C. Slater, F. Seitz ve W. Schottky'dir.
Yıl 1948, Walter H. Brattain ve John Bardeen kristal redresör yapmak için Bell laboratuarlarında çalışıyorlar. Esas olarak yapılan; çeşitli kristallere temas eden bir ‘catwhisker’ in tek yönde iletken, diğer yönde büyük bir direnç göstermesi ile ilgili bir çalışmadır. Deneyler sırasında Germanyum kristalinin ters akıma daha çok direnç gösterdiği ve daha iyi bir doğrultma işlemi yaptığı gözlemlendi ve böylece germanyum redresörler ortaya çıktı.
Brattain ve Bardeen germanyum redresör ile yaptıkları deneylerde, germanyum kristali üzerindeki serbest elektron yoğunluğunun, redresörün her iki yöndeki karakteristiğine olan tesirini incelediler ve bu sırada, catwhisker'e yakın bir başka kontak daha yaparak deneylerini sürdürdüler. Bu sırada ikinci whisker de akım şiddetlenmesinin farkına vardılar ve elektronik tarihinin bir dönüm noktasına tekabül eden transistör böylece keşfedilmiş oldu.
Adını 'Transfer – Resistor' yani taşıyıcı direnç kelimesinden alan transistör'ün geliştirilmesine daha sonra William Shockley de katıldı ve bu üçlü 1956 yılı nobel fizik ödülüne layık görüldüler.
İlk yapılan transistörler 'Nokta Kontaklı' transistörlerdi. Nokta kontaklı transistörler, iki whisker'li bir kristal diyottan ibarettir. Kristale 'Base', whiskerlerden birine 'Emitter' diğerine de 'Collector' adı verilir. Bu transistörlerde N tipi Germanyum kristali base olarak kullanılmıştır.
Whiskerler fosforlu bronzdan yapılır, daha doğrusu yapılırdı, bu transistörler artık müzelerde veya eski amatörlerin nostaljik malzeme kutularında bulunurlar.
Her iki whisker birbirine çok yakındır ve uçları kıvrık bir yay gibidir, bu kıvrık yay gibi olması nedeni ile kristale birkaç gramlık bir basınç uygular ve bu sayede sabit dururlar. Yani, yalnız temas vardır.
Bu transistörlerin Ge kristalleri 0.5 mm kalınlığında ve 1 - 1.5 mm eninde parçalardır. Whisker arası mesafe ise milimetrenin yüzde 3'ü yüzde 5'i kadardır.
Bu ilk transistörler PNP tipinde idi, yani kristal N tipi Whiskerler P tipi idi.
Daha sonraları 'Yüzey Temaslı' transistörler yapıldı. Bu transistörler PNP veya NPN olacak şekilde üç kristal parçası birbirine yapıştırılarak imal edildiler. Yüzey temaslı transistörlerin yapılması ile silisyum transistörler piyasaya çıktı, daha sonraları transistörler kocaman bir aile oluşturdular ve sayıları oldukça arttı.

Yapı

Transistör iki eklemli üç bölgeli bir devre elemanı olup iki ana çeşittir.
  • NPN
  • PNP
100px BJT NPN symbolsvg magnify clip
NPN iki kutuplu transistör gösterimi


100px BJT PNP symbolsvg magnify clip
PNP iki kutuplu transistör gösterimi


İki kutuplu (bipolar) jonksiyon transistör

  1. Transistörün kolay anlaşılması bakımından tanımı; Transistörün bir sandviçe benzetilmesidir, yarı iletken sandviçi.
  2. İkinci bir tanımıda şöyle yapılmaktadır; Transistör, iki elektrodu arasındaki direnci, üçüncü elektroda uygulanan gerilim ile değişen bir devre elemanıdır.
  3. Transistörün en çok kullanılan tanımı ise şöyledir; Transistör yan yana birleştirilmiş iki PN diyodundan oluşan bir devre elemanıdır. Birleşme sırasına göre NPN veya PNP tipi transistör oluşur.
emitter; base, collector arasında akım sağlar ve devrede yükselteç görevi üstlenir. 132

Transistör çeşitleri

  • Yüzey birleşmeli (Jonksiyon) transistör
  • Nokta temaslı transistör
  • Unijonksiyon transistör
  • Alan etkili transistör
  • Foto transistör
  • Tetrot (dört uçlu) transistör
  • Koaksiyal transistör
Transistörün kullanım alanları

Transistör yapısal bakımdan, yükselteç olarak çalışma özelliğine sahip bir devre elemanıdır. Daha yaygın kullanım amacı ise devrede anahtarlama yapmaktır. Elektroniğin her alanında kullanılmaktadır. Dolayısı ile teknolojinin en değerli parçalarından biridir.


Vakum lambaları ile karşılaştırma

Üstünlükler

  • Transistörler çok küçüktür ve çok az enerji isterler.
  • Transistörler çok daha uzun çalışma ömrüne sahiptirler.
  • Transistörler her an çalışmaya hazır durumdadırlar. (lambaların flaman gerilimi sorunu)
  • Çalışma voltajları çok daha azdır. Pille bile çalışırlar.
  • Lambalar gibi cam değildir kırılmaz.
Zayıflıklar
  • Vakum lambalara göre gürültülü çalışırlar.(bu nedenle kaliteli ses güçlendiricilerde hala vakum lambaları kullanılır)
Çeşitli transistörler

Transistörler esas olarak bipolar transistörler ve unipolar transistörler olarak iki kısma ayrılırlar. Bipolar transistörler de PNP ve NPN olarak iki tiptir.
PNP tipinde base negatif emitter ve collektor pozitif kristal yapısındadır. Bu transistörler emitter montajında; emitter + collector - olarak polarize edilirler. Base emittere göre daha negatif olduğunda transistör iletimdedir.
NPN tipinde ise base pozitif, emitter ve collector negatif kristal yapısındadır. Emitter topraklı olarak kullanıldığında, emitter negatif, collector pozitif olarak polarize edilirler. İletimde olması için base, emittere göre daha pozitif olmalıdır. Buradaki gerilim farkı 0.7 (si) - 0.3 (ge) volt veya daha fazla olmalıdır.
Piyasada pek çok tip bipolar transistör mevcuttur. Bunların kullanılmaları sırasında mutlaka bacak bağlantılarını içeren bir katalog kullanılmalıdır; çünkü aynı kılıf yapısı içeren iki transistörün bacak bağlantıları ayrı olabilir. odev
Bipolar transistörler genelde 2 ile başlayan 2N… 2SA…. 2SB….. 2SC… veya AC… BD… BUX…. BUW… MJ…. ile başlayan isimler alırlar.
Son zamanlarda transistörlerin çeşidi ve sayısı arttığı için bir katalog kullanmak zorunlu hale geliştir.
2N3055 2SA1122 2SB791 2SC1395 AC128 BD135 BUX80 BUW44 MJ3001 gibi….
A ile başlayan transistörler Germanyum, B ile başlayan transistörler Silisyumdur. Keza, diyotlar için de bu geçerlidir, ikinci harfin anlamları şöyledir:
A : DiyotC : Alçak frekans transistörüD : Güç transistörü dür.F : Yüksek frekans transistörüY : Güç DiyoduZ : Zener Diyot AC128, BC108, AF139, BF439, AD165, BD135, AA139, BY101 gibi.
Aynı kılıf içinde çift transistör varsa buna Darlington transistör adı verilir MJ3042 gibi.
Bazı darlington transistörler kılıf içinde bir de diyot ihtiva ederler.
Bir P tipi transistör push-pull olarak kullanıldığında, karakteristikleri benzer olan bir N tipi transistörle beraber kullanılır, buna 'Complementary' tamamlayıcı transistör adı verilir. MJ 2955 ile 2N3055 gibi.
Piyasada bulunan transistörler plastik veya metal kılıf içindedirler.
En çok kullanılan kılıf şekilleri To-3 To-5 To- 12 To- 72 To- 92 To- 220'dir.


Transistörlerde akım kazançları

Transistörün yükseltme işlemi doğrudan doğruya çıkış akımı değişmelerinin giriş akımı değişmelerine oranı olan; akım kazancına bağlıdır. Bu işlemde çıkış devresi gerilimi sabittir. Akım kazancı, transistörün bağlantı şekline göre farklı isimler alır.
Bağlantı şekillerine göre akım kazancı;
  • Emiteri ortak bağlantıda Beta-β
  • Beyzi ortak bağlantıda Alfa-α
  • Kollektörü ortak bağlantıda Gama-γ
ismini alır. Transistörün NPN veya PNP oluşu ile değişmez.
Akım kazancı=Çıkış devresi akımı değişmeleri/Giriş devresi akımı değişmeleri
(Çıkış devresi gerilimi: Sabit)


vikipedi

Aynacan - avatarı
Aynacan
VIP Gecenin Aydınlığı!
13 Mayıs 2010       Mesaj #3
Aynacan - avatarı
VIP Gecenin Aydınlığı!
TRANSİSTÖRLER

Transistörler pek çok elektronik devrede gerekli bir işlem olan sinyal yükseltme işlemini gerçekleştiren elektronik devre elemanlarıdır. Sinyal yükseltme temel fonksiyonun yanında, transistörler daha başka fonksiyonlara da sahiptirler. Örneğin, anahtarlama elemanı olarak kullanılması gibi...

A – YAPISI VE TİPLERİ

Transistörler de diyotlar gibi P ve N tipi yarı iletkenlerin birleştirilmesinden elde edilirler. Ancak transistörlerde bir değil iki birleşme yüzeyi vardır.


tr1kr


Şekil 1.1 PNP tipi transistörün yapısı ve sembolü

1 – PNP YÜZEY BİRLEŞMELİ TRANSİSTÖRLER

PNP tipi transistörlerde, ,iki adet P maddesi ve arasına ince bir N maddesi yerleştirilmiştir. Aşağıda verilen şekil 1.1 de PNP transistörünün yapısı ve sembolü görülüyor.

Transistörün 3 adet ucu bulunur. Bunlar; kollektör,beyz ve emiter uçlarıdır. Emiter ucu, çoğunluk taşıyıcıların yayıldığı uçtur. Emiter bölgesinden çıkan çoğunluk taşıyıcılar
( PNP tipi transistörlerde oyuklar, NPN tipi transistörlerde ise elektronlar ) önce beyz bölgesine geçerler. Bu çoğunluk taşıyıcıların küçük bir kısmı (yaklaşık %1) beyz tarafından devresini tamamlar. Diğerleri ise; kollektör bölgesine geçer. Transistörden geçen akım, beyz – emiter arasına uygulanan gerilim tarafından kontrol edilir. Bu nedenle transistörler, akım kontrollü akım kaynağı olarak kullanılırlar.


2 – NPN YÜZEY BİRLEŞMELİ TRANSİSTÖRLER

NPN tipi transitörlerde, iki adet N tipi madde arasına ince bir P tipi madde yerleştirilmiştir. Aşağıdaki şekilde NPN transistörün yapısı ve sembolü görülmektedir.

tr1kr

Şekil 1.2 NPN tipi transistörün yapısı ve sembolü


B – PNP VE NPN TİPİ TRANSİSTÖRLERİN POLARMALANDIRILMASI

1- Doğru Polarma


PNP ve NPN tipi transistörlerde, iki adet birleşim yüzeyi bulunduğu daha önce belirtilmişti. Bu transistörlerin doğru polarmalandırılmasında Beyz-Emiter yüzeyine doğru yönde, Beyz-Kollektör yüzeyine ise ters yönde gerilim uygulanır. Şekil 1.3 de PNP tipi transistörün doğru polarmalandırılması ve geçen akımlar görülüyor.
PNP transistörlerde, Emiteri meydana getiren P maddesine daha fazla katkımaddesi katılmıştır. Bu nedenle, emiter çoğunluk taşıyıcılar ( oyuklar ) bakımından, diğer bölgelere göre daha zengindir. Oyuklar, emiter bölgesinden hareket eder ve beyz bölgesine gelirler. Beyz bölgesini meydana getiren N maddesi hem çok incedir ve hem de çok az katkı maddesi kullanılmıştır. Böylece, emiterden çıkan oyukların çok büyük bir bölümü beyz devresine doğru akar, büyük çoğunluğu ise, negatif ( - ) gerilim uygulanmış olan kollektör bölgesine ulaşır. Ortalama olarak söylemek gerekirse, emiterden çıkan oyukların %1 i beyz devresine, %99 u ise kollektöre gider.
Transistördeki en büyük akım emiter akımıdır. Emiter akımı, kollektör ve beyz akımlarının toplamına eşittir.
Ie = Ib + Ic


tr2qh



Şekil 1.3 PNP transistörün doğru polarmalandırılması ve geçen akımlar

Yukarıdaki şekilde, oyukların ve elektronların akış yönü verilmiştir. Elektronların akış yönü, oyukların akış yönünün tersidir. Transistörün iki birleşim yüzeyini, iki diyot gibi düşünebiliriz. Transistörden akım geçmesi için, beyz-emiter diyodu doğru yönde polarize edilmelidir. Transistörde; en yüksek gerilim, kollektöre uygulanan gerilimdir. Bu nedenle emiterden çıkan oyukların çok büyük çoğunluğunun kollektör tarafından çekilmesi mümkün olmaktadır.


tr3oi

Şekil1.4 Birleşim yüzeyine uygulanan polarmalar ve akım yönleri

Yukarıdaki şekilde de görüldüğü gibi beyz-emiter arasına doğru yönde, beyz-kollektör arasına da ters yönde gerilim uygulanır. Bu durumda transistörden akım geçer. Emiter akımı, beyz ve kollektör akımlarının toplamına eşittir.

Transistörlerde, beyz-emiter arasına doğru polarma uygulanması çok önemlidir. Beyz- emiter arasına doğru polarma uygulanmadığı zaman transistörden hiç akım geçmez.

NPN tipi transistörlerde, emiteri meydana getiren N maddesine diğer bölgelere oranla daha fazla katkı maddesi katılmıştır. Bu durumda, emiter elektron yönünden çok zengindir.

Beyz emiter birleşim yüzeyine doğru yönde polarma uygulandığı için emiterdeki elektronlar beyz bölgesine geçerler. Beyz bölgesini meydana getiren P tipi maddeye, çok az katkı maddesi katılmıştır ve beyz bölgesi çok incedir. Bu nedenlerle, emiterden gelen elektronların çok küçük bir kısmı beyz devresine gider, büyük çoğunluğu ise pozitif gerilim uygulanmış olan kollektör tarafından çekilir ve kollektör akımını oluşturur. Emiter akımı, beyz ve kollektör akımlarının toplamına eşittir.


tr4i


Şekil 1.5 NPN transistörün doğru polarmalandırılması ve geçen akımlar


tr5


tr6j

Şekil 1.6 Birleşim yüzeylerine uygulanan polarmalar ve akım yönleri

Şekilde görüldüğü gibi; NPN tipi transistörlerde, beyz- emiter birleşim yüzeyine doğru yönde, beyz kollektör birleşim yüzeyine de ters yönde polarma uygulanır. NPN tipi transistörlerde, kollektöre devredeki, en yüksek pozitif gerilim uygulanır.

1- TERS POLARMA

Transistörlerde, beyz, kollektör ve emiter akımlarının geçebilmesi için her şeyden önce beyz-emiter birleşim yüzeyine doğru yönde polarma uygulanması gerekir. Aksi halde, devreden hiçbir akım çekmez. Transistörlerin beyz-emiter birleşim yüzeylerine ters yönde gerilim uygulanmasına ters polarma adı verilir.
Transistörün beyz – emiter birleişm yüzeyi ters polarize edilirse, transistörden beyz akımı akmayacaktır. PNP tipi transistörlerde, beyz ucuna pozitif, emiter ucuna ise negatif gerilim uygulanması durumunda, transistöre ters polarma uygulanmış olacaktır. NPN tipi transistörlerde ise, beyz ucuna negatif, emiter ucuna pozitif gerilm uygulanırsa, transistör ters yönde polarılmış demektir.

C – TRANSİSTÖRLERDE ALFA( α ) VE BETA ( β ) AKIM KAZANÇLARI

Transistörlerde,

β akım kazancının kollektör akımının beyz akımına oranına eşit olduğu görülür.

β = Ic / Ib

α akım kazancı ise; transistörün kollektör akımının emiter akımına oranı olarak bulunur.

α = Ic / Ie

Transistörlerde, emiter akımı kollektör akımından daha büyük olduğu için α akım kazancı daima 1 den daha küçük çıkar.

Β akım kazancıyla α akım kazancı arasındaki ilişki ise aşağıdaki gibi formülize edilir.

β = α / 1 – α α = β / β+1


D- TRANSİSTÖR KARAKTERİSTİKLERİ

Transistörlü devrelerde, çeşitli noktalardaki gerilim ve akımlar hep aynı harfle gösterilmektedir.

Vbb = Beyz ile şase arasındaki polarma gerilimi
Vbe = Beyz ile emiter arasındaki gerilim
Ib = Beyz akımı
Vcc = Kollektörle şase arasındaki polarma gerilimi
Vce= Kollektörle emiter arasındaki gerilim
Ic= Kollektör akımı
Vcb= Kollektör ile beyz arasındaki gerilim
Vc= Kollektör ile şase arasındaki gerilim
Vb= Beyz ile şase arasındaki gerilim
Ve= Emiter ile şase arasındaki gerilim

E – TRANSİSTÖRLERİN ÇALIŞMA KARARLILIĞINI ETKİLEYEN FAKTÖRLER

Transistörlerin katalog bilgilerinde genellikle 20-25 derece sıcaklıklarda çalıştırılacakları belirtilmektedir. Transistör aşırı sıcak bir ortamda çalıştırılırsa veya uzun süreli çalışmadan dolayı kendiliğinden ısınırsa katalog değerleri sağlanamaz.
Germanyum ve silisyum maddeleri ısıtıldığında, kristal yapıyı meydana getiren yapı bozulur ve bu maddelerdeki serbest elektron miktarı artar.Serbest elektronların aşırı artması, transistörün beta değerini değştirir. Transistörün akım kazancı değiştiğinde de girişteki akım değişikliklerinin kollektör akımına nasıl yansıyacağını önceden hesaplamak mümkün olmaz ve daha önce kurulmuş olan denge bozulur. Bu nedenle, özellikle yüksek akımlı transistörler metal bir kap içerisinde imal edilerek, fazla çalışmadan dolayı meydana gelebilecek aşırı ısı dağıtılmaya çalışılır. Bundan başka, metal kap içerisinde imal edilen transistörlerin, devrenin metal şasesine bağlanması yoluna gidilmektedir.

F – TRANSİSTÖR KATALOG DEĞERLERİ

1- GERİLİM DEĞERLERİ:
Transistör kataloglarında, genellikle aşağıdaki gerilim değerlei verilmektedir.
Vcb, Vce0,Veb
Şimdi herhangi bir transistör için, bu değerlerin aşağıdaki gibi olduğunu düşünelim.
Vcb=60V
Vce0 = 40V
Veb = 6V

Vcb transistörün kollektör-beyz birleşme yüzeyine uygulanabilecek maksimum ters gerilimi gösterir. Bu transistörde, Vcb gerilimi 60 volt olarak verildiğine göre, kollektör-beyz arasına uygulanacak değer 60 voltu geçerse, transistör zarar görecektir.

Vce0; gerilim değeri ise, devrede beyz ucu açıkken, kollektör-emiter arasına uygulanabilecek maksimum gerilimi verir.

Veb ise; beyz-emiter diyoduna uygulanabilecek maksimum ters yön gerilimidir. Buna göre, beyz-emiter arasına ters yönde 6 volttan fazla bir gerilim verilirse, transistör zarar görecektir.

1- AKIM DEĞERLERİ

Transistörlerde, genellikle maksimum kollektör akımı verilmektedir. Örneğin; bir trnsistörde Ic= 200mA olarak verilmişse, bu transistörün akımı maksimum 200mA olabilir demektir. Devre dizayn edilirken bu nokta göz önüne alınmalıdır.

2- MAKSİMUM GÜÇ DEĞERİ

Transistörlerin harcayabilecekleri maksimum güç, katalog değeri olarak verilmektedir. Transistör üzerinde harcanabilecek maksimum güç Pdmax olarak gösterilir.
Transistörlerin maksimum harcayabilecekleri güç, değişik sıcaklıklar için verilebilir.
Herhangi bir devrede, transistör üzerinde harcanan güç, emiter akımı ile kollektör-emiter geriliminin çarpılmasıyla bulunur.

3- BETA AKIM KAZANCI

Transistörlerin Beta akım kazançları da katalog değeri olarak verilmektedir. Genellikle bir transistör için birden fazla Beta değeri verilir; maksimum ve minimum değerleri verilir. Ayrıca Beta değerleri, çalışma noktalarına bağlı olarak değiştiği için, çeşitli kollektör akımlarına karşılık gelen Beta değerleri de verilmektedir.

G – TRANSİSTÖRLERDE SAĞLAMLIK KONTROLÜ

Transistörlerin, kollektör - beyz arası bir diyot, beyz-emiter arasa da bir başka diyot olarak düşünülebilir. Buna göre transistörlerin sağlam olup olmadıkları, avometre ile kontrol edilebilir. Aşağıdaki şekillerde, PNP ve NPN transistörlerin diyot eş değerleri görülmektedir.


tr8

Şekil 1.7 Transistör birleşim yüzeylerinin diyot eş değerleri

Avometre ile transistörün sağlamlık kontrolü yapılırken, avometre önce ohmmetre konumun alınır. Yukarıdaki Pnp tipi transistörün birleşim yüzeyinin diyot eş değer devresi görülmektedir. Burada önce ohmmetre (-) ucu, transistörün beyz ucuna, (+) ucu ise sırayla, transistörün emite ve kolektör uçlarına temas ettirlir. Her iki durumda da diyotlar ters polarize edildiğinden, ohmmetrenin ibresi sapmamalıdır. İbre bir veya iki ölçümde de sapıyorsa, transistör bozuktur.
Bundan sonra, ohmmetrenin(+) ucu transistörün beyzine, (-) ucu ise sırayla kollektör ve emiter ayaklarına temas ettirlir. Ohmmetrenin ibresi he riki durumdada sapmalıdır. Daha çok sapan uç, kollektördür. Eğer ölçümlerin birinde ya da ikisinde de ohmmetre sapmıyorsa, transistör bozuktur.

Son olarak da, ohmmetrenin uçları her iki yönde de transistörün kollektör emiter uçlarına temas ettirilir. Ohmmetre iki yönde de sapmamalıdır. Sapıyorsa, transistör bozuktur.
Yukarıda analtılanlar PNP transistör kontrolünde de geçerlidir. NPN transistörlerin kontrolü de aynı şekilde yapılır. Sadece ohmmetre uçları ters çevrilecektir.

Not: Bilgilendirme amaçlıdır.
ArCHanqeL - avatarı
ArCHanqeL
Ziyaretçi
22 Temmuz 2012       Mesaj #4
ArCHanqeL - avatarı
Ziyaretçi
Transistör Nedir? Yapısı Nasıldır?

Transistör 2N tipi ve 1P tipi yada 2P tipi ve 1N tipi yarı iletken malzemenin yan yana gelmesiyle oluşmuş devre elemanıdır. 2 çeşit transistör vardır.
Bunlar; NPN ve PNP dir.

Transistörlerin sembolleri:

B => Beyz
E =>Emiter
C =>Kollektör olmak üzere üç e ayrılır..

Transistörlerin üç adet ucu vardır. Bunlar; Emiter (E) , Beyz (B) ve Kollektör (C). Transistörün sembolünde orta uç Beyz'dir. OK ile gösterilen uç Emiter'dir. Diğer boş uç ise Kollektördür. diyotnettr101 diyotnettr103

Transistörün orta katmanda bulunan kısmı toplam hacmi 150 de 1 i kadardır. Transistörler bağlantı yapılırken hangi tip olursa olsun Emiter ile Beyz doğru polarma, Beyz ile Kollektör ters polarma bağlanacaktır.
Elektronik devrelerde en çok kullanılan transistör tipi NPN'dir..
Transistörün Çalışması:
NPN veya PNP transistörü çalışma biçimleri birbirinin aynısıdır. Emiter, Beyz arası doğru polarma ile bağlandığı için Emiter'den Beyz'e doğru oyuk hareketi olacaktır. Aynı şekilde Beyz ve Kollektör arası ters polarma bağlandığından aradaki boşluk azalacak Emiter'de oluşan hareket Beyz üzerinden Kollektör'e doğru devam edecektir. Ve bu sayede akım akışı artacaktır..
BEĞEN Paylaş Paylaş
Bu mesajı 1 üye beğendi.
adsız - avatarı
adsız
VIP VIP Üye
24 Temmuz 2012       Mesaj #5
adsız - avatarı
VIP VIP Üye
Transistörlerin Çalışma Kararlılığını Etkileyen Faktörler
Bir transistöre kararlı bir çalışma yaptırabilmek için öncelikle karakteristik değerlerine uygun bir devre düzeni kurmak gerekir. Bunun içinde daha önceden belirtilmiş olduğu gibi katalog değerlerine ve karaktersitik eğrilerinde verilen bilgilere uyulmalıdır.
Transistörün kararlı çalışmasını etkileyen faktörler:
Sıcaklık
Aşırı ısınan transistörün çalışma dengesi bozulur, gücü düşer. Daha da çok ısınırsa yanar. Isınan transistörlerde elektron sayısı anormal artacaktır. Bu artış nedeniylede belirli giriş değerleri için alınması gereken çıkış değerleri değişir. Bu da kararlı çalışmayı önler. Daha çok ısınma halinde ise kristali bozulur. Bu durumda transistörün yanmasına neden olur. Isınma transistörün kendi çalışmasından kaynaklandığı gibi sıcak bir ortamda bulunmasından dolayıda olabilir.

Frekans
Her transistör, her frekansta çalışmaz. Bu konuda yine katalog bilgilere bakmak gerekir. Örneğin: NPN transistörler, PNP transistörlere göre yüksek frekanslarda çalışmaya daha uygundur. Nedenide NPN transistörlerde elektrik yükü taşıyıcıları elektronlardır. PNP transistörlerde ise taşıyıcılar pozitif elektrik yükeridir. Elektronlar, pozitif elektrik yüklerine göre çok daha hızlı ve serbest hareket edebildiklerinden yüksek frekanlar için NPN transistörler daha uygundur

Limitsel karakteristik değerleri
Her transistörlerin ayrı çalışma değerleri vardır. Bu çalışma değerlerinden bazılarının kesinlikle aşılmaması gerekir. Bunlara ''limitsel karakteristik'' denir.
Limitsel karakteristik değerleri şöyle sıralanır:
Maksimum kollektör gerilimi
Maksimum kollektör akımı
Maksimum dayanma gücü
Maksimum kollektör
Beyj jonksiyon sıcaklığı
Maksimum çalışma (kesim) frekansı
Limitsel değerler gerek birbirlerine, gerekse de giriş değerlerine bağlıdır. Yukarıda sıralanan maksimum değerlerin ne olmasının gerektiği transistör kataloglarından ve karakteristik eğrilerinden saptanır.

Polarma yönü
Polarma gerilimini uygularken ters polarma bağlantısı yapmamaya özellikle dikkat edilmelidir. Böyle bir durumda, transistör çalışmayacağı gibi normalden fazla uygulanak olan ters polarma gerilimleri jonksiyon diyotlarının delinmesine yani kristal yapının bozulmasına neden olacaktır.
Aşırı toz ve kirlenme
Transistörlerin toza karşı ve özelliklede metalik işlemlerin yapıldığı ortamlarda çok iyi korunması gerekir. Aşırı toz ve kirlenme elektotlar arası yalıtkanlığı zayıflatacağınan kaçak akımların artmasına neden olacaktır. Buda transistörün kararlı çalışmasını engelleyecektir. Eğer metal ve karbon (kömür) tozlarıyla karışık bir tozlanma varsa transistör elektrorlarının kısa devre olma ihtimalide mevcuttur.
Tozlu ortamda çalıştırılması zorunlu olan transistörlerin ve bütün elektonik devrelerin toza karşı iyi korunmaları gerekir. Zaman zaman devrenin enerjisi kesilerek yumuşak bir fırça ile aspiratör tozları temizlenmelidir. Tozlardan arındırma işlemi, elektrik süpürgesiyle kesinlikle yapılmamalıdır. Zira yapışkan tozlar daha da çok yapışarak kirliliği artırır, buradan kalkan tozlar diğer cihaz ve devrelere konarak başka devrelerin de tozlanmasına neden olur.
Nem
Transistörler ve bütün elektronik devreler, neme karşı çok iyi korunmalıdır. Gerek su buharı, gerekse de bazı yağ ve boya buharları, elektrotlar arasında kısa devre yapabileceği gibi tozların da yapışıp yoğunlaşmasına neden olur, cihazların kararlı çalışmasına engeller.
Sarsıntı
Sarsıntılı ortamda kullanılan cihazlarda, daima bağlantıların kopması ihtimali vardır. Aşırı sarsıntı, iç gerilmeleri arttıracağından kristal yapının bozulması da mümkündür. Sarsıntılı ortamlarda çalıştırılacak cihazlara üreticiler tarafından özel sarsıntı testi uygulanır Bu gibi çalıştırmalarda, üreticisinden sarsıntı testleri hakkında bilgi almak gerekir.

Elektrik ve magnetik alan etkisi
Gerek elektriksel alan gerekse de magnetik alan serbest elektronların artmasına ve onların yönlerinin sapmasına neden olur. Buda kararlı çalışmayı önler. Bu gibi ortamlarda kullanılacak cihazlar faraday kafesiyle ve anti magnetik koruyucularla korunmalıdır.

Işın etkisi
Röntgen ışınları, lazer ve benzeri çok yüksek frekanslı ışınlar kararlı çalışmayı etkiler. Bu gibi yerlerde kullanılacak cihazlar özel koruma altına alınmalıdır.

Kötü lehim (soğuk lehim)
Transistörün ve bütün elektronik devre elemanlarının çok ustaca lehimlenmesi gerekir. Soğuk lehim, dışarıdan bakıldığında cihazı lehimliymiş gibi gösterir.Soğuk lehim, elektriksel iletimin iyi olmamasına neden olacağından bütün bir sistemin kararlı çalışmasını engelleyecektir. Bu tür arızaların bulunmasıda çok zordur. Ayrıca aşırı ısıtılarak lehim yapılmasıda devre elemanlarını bozar. Belirli bir lehim pratiği olmayanların transistör ve benzeri elektronik devre elemanlarının lehimini yapmamas gerekir
ömr-ü bahar
_Yağmur_ - avatarı
_Yağmur_
VIP VIP Üye
2 Ocak 2013       Mesaj #6
_Yağmur_ - avatarı
VIP VIP Üye
TRANSİSTOR
MsXLabs.org & Morpa Genel Kültür Ansiklopedisi

Yarı iletken maddelerden yapılan ve elektrik devrelerinde yükseltici, doğrultucu, detektör ve anahtar olarak kullanılan elektronik aygıt.

Çalışması elektron tüpü gibidir. Ancak daha küçük, daha uzun ömürlü ve daha az güç harcaması gibi üstünlükleri vardır. İlk transistorlar (sivri uçlu transistor), istenen özellikleri tam anlamıyla sağlayamamış ve yerini 1948'de John Bardeen, Walter H. Brattain ve William B. Shockley tarafından bulunan (ABD'li bu fizikçiler, ilgili çalışmalarından ötürü 1956 Nobel Fizik Ödülü'nü almışlardır) bağlantılı transistora bırakmıştır.

Bağlantılı transistor, bir p-n-p ya da n-p-n transistoru oluşturacak biçimde sırt sırta birleştirilmiş iki p-n bağlantısından oluşan katmanlı bir aygıttır. Bu üç katman, genellikle silisyum ya da germanyum gibi bir yarı iletken kristale kontrollu biçimde yabancı madde katılarak oluşturulur. Ortadaki ince bölgeye (n-p-n transistorunda p-tipi ve p-n-p transitorunda n-tipi) "taban" ve uçlarda kalan bölgelere (n-p-n transistorunda n-tipi yarı iletken) de, dış gerilimin bağlanma biçimine göre "verici" (emitör) ve "toplaç" (kolektör) adı verilir.

Devrede yükseltici olarak görev yapması için bir n-p-n transistorunun toplacı ve tabanının gerilimi negatif olmalıdır. Taban yeterince inceyse, vericiden elektronları kendisine çeker ve içinden geçen elektronlar pozitif yüklü toplaca gider. Tabana uygulanan (ve birkaç volt kadar olan) gerilimin küçük miktarlarda değiştirilmesi, toplaçtan elde edilen akım şiddetini büyük miktarlarda değiştirir ve transistor yükseltici olarak çalışır.

Tabandaki akım şiddetinin 100 katı kadar toplaç akımı elde edilebilir. Bu tip bir transistor, verici ve toplacının katot ve anot, tabanının da kontrol ızgarası olarak görev yaptığı bir triyoda benzer, p-n-p transistorunun da çalışması n-p-n transistorununkü gibidir; ancak bundaki toplaç akımı elektron yerine oyuklardan (elektron enerji seviyesindeki bir elektron boşluğu) oluşur. Transistorlar elektronik devrelerde "devrim"e yol açan aygıtlar olarak bilinirler. Ancak gerek transistorların gerekse öteki devre elemanlarının tek bir yarı iletken paket biçiminde hazırlandıkları entegre devreler, transistorların da yerini almıştır.
"İnşallah"derse Yakaran..."İnşa" eder YARADAN.